CSD86360Q5D
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: -
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 750 mV
Qg-栅极电荷: 9.7 nC, 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 13 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 4.3 ns, 6.6 ns
正向跨导 - 最小值: 113 S, 169 S
高度: 1.5 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 20.4 ns, 14.8 ns
系列: CSD86360Q5D
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: Synchronous Buck MOSFET Driver
典型关闭延迟时间: 14.5 ns, 29.3 ns
典型接通延迟时间: 8.4 ns, 9.5 ns
宽度: 5 mm
单位重量: 170 mg
